亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用to-8无窗口封装,可大程度减少暴露于强烈的uv/euv光子后二极管的响应度变化。od的有效面积为5 mm x 5 mm,非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。
连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 a/w;254 nm的响应度通常为0.02 a/w。在工作条件下,暗电流为10(典型值)和50(max.)na。新的odd-sxuv-dlpsd具有反向击穿电压,min.50伏,电容为40(典型值)至60(max.)pf。操作和存储温度范围从-10℃到40℃(环境温度)和-20℃到80℃(在氮气或真空条件下)。结温为max.70℃,引线焊接温度为0.080英寸,距外壳10秒钟为260℃。
参数:
活动区域:25 mm2
响应度r@13nm:0.20 a/w
响应度r@254nm:0.02 a/w